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元件参数资料
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参数目录49901
> DMP2069UFY4-7 MOSFET P-CH 20V 2.5A 3-DFN
型号:
DMP2069UFY4-7
RoHS:
无铅 / 符合
制造商:
Diodes Inc
描述:
MOSFET P-CH 20V 2.5A 3-DFN
详细参数
数值
产品分类
分离式半导体产品 >> FET - 单
DMP2069UFY4-7 PDF
产品变化通告
Bond Wire Change 11/Nov/2011
标准包装
3,000
系列
-
FET 型
MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 特点
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)
20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
2.5A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C
54 毫欧 @ 2.5A,4.5V
Id 时的 Vgs(th)(最大)
1V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
9.1nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds
214pF @ 10V
功率 - 最大
530mW
安装类型
表面贴装
封装/外壳
3-XFDFN
供应商设备封装
DFN2015H4-3
包装
带卷 (TR)
产品目录页面
1578 (CN2011-ZH PDF)
其它名称
DMP2069UFY4-7DITR
查看DMP2069UFY4-7代理商
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